Η Diodes Incorporated κυκλοφόρησε σήμερα το πρόγραμμα οδήγησης Half bridge και High-side / Low-side τοπολογίας Gate σε ένα πακέτο SO-8. Αυτά τα προγράμματα οδήγησης πυλών θα επικεντρωθούν σε εφαρμογές υψηλής τάσης, υψηλής ταχύτητας για μετατροπείς, μετατροπείς, έλεγχο κινητήρα και εφαρμογές ενισχυτή ισχύος Class-D. Αυτές οι συσκευές θα προσφέρουν τεχνολογία μεμονωμένης διακλάδωσης διακλάδωσης για τη δημιουργία ενός οδηγού high-side κινητού καναλιού για χρήση σε τοπολογία ιμάντα εκκίνησης που λειτουργεί έως 200V Επίσης έχει δυνατότητα οδήγησης δύο καναλιών MOSFET σε διαμόρφωση μισής γέφυρας. Εκτός από αυτό, όλες οι συσκευές θα διαθέτουν τυπικές εισόδους λογικής TTL / CMOS με ενεργοποίηση Schmitt και θα λειτουργούν έως 3.3V.
Τα τρία DGD2003S8, DGD2005S8 και DGD2012S8 θα είναι κατάλληλα για εφαρμογές κινητήρα έως και 100V. Η συσκευή θα είναι κατάλληλη για ταυτόχρονη υποστήριξη για εφαρμογές μετατροπής ισχύος και αντιστροφής που λειτουργούν στα 200V. Οι έξοδοι αυτών των συσκευών θα είναι σε θέση να αντέχουν αρνητικά παροδικά και θα περιλαμβάνουν κλείδωμα υπό τάσης για προγράμματα οδήγησης υψηλής και χαμηλής πλευράς. Αυτά τα χαρακτηριστικά το καθιστούν κατάλληλο για εφαρμογές σε αριθμό καταναλωτικών και βιομηχανικών σχεδίων, συμπεριλαμβανομένων ηλεκτρικών εργαλείων, ρομποτικής, μικρών οχημάτων και drone.
Με την απόδοση ισχύος να διατηρείται σε όλο το εύρος, το χαρακτηριστικό περιλαμβάνει ρεύμα πηγής και νεροχύτη 290mA και 600mA, αντίστοιχα για τα DGD2003S8 και DGD2005S8 και 1.9A και 2.3A αντίστοιχα για το DGD2012S8. Το DGD2005S8 έχει μέγιστο χρόνο διάδοσης 30ns κατά την εναλλαγή μεταξύ υψηλής και χαμηλής πλευράς, ενώ το DGD2003S8 διαθέτει σταθερό εσωτερικό χρόνο λήξης 420ns. Το εύρος θερμοκρασίας βαθμολογείται από -40 0 C έως +125 0 C.
Τα DGD2003S8, DGD2005S8 και DGD2012S8 είναι διαθέσιμα στα πακέτα SO-8.